机译:InAlN / AlN / GaN HEMT的热与等离子体辅助ALD Al 2 sub> O 3 sub>钝化的评估
机译:Al / gan mos-hemts表面的钝化处理是通过对蒸发的铝进行热氧化而形成的超薄Al2o3
机译:ALD生长的AlN薄膜对AlGaN / GaN HEMT的有效钝化
机译:集成自对准E / D模式n ++ GaN / InAlN / AlN / GaN MOS HEMT的沉积后退火和热稳定性
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:通过热ALD技术生长具有AlN栅极电介质的AlGaN / GaN MISHEMT
机译:基于Ta基欧姆接触和PECVD SiN钝化的InAlN / AlN / GaN HEMT的评估